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第1章 半导体二极管与整流电路_图文

第1章 半导体二极管与整流电路_图文

第1章 半导体二极管与整流电路
1.1 1.2 1.3 1.4 半导体基础知识 半导体二极管 半导体二极管的应用 二极管整流电路

1.5 稳压二极管及其应用 1.6 光敏二极管 1.7 发光二极管

电子技术的组成
二极管及其应用 模拟电子技术 电子技术 数字电子技术 三极管及其应用 组合逻辑电路 时序逻辑电路

教学要求:

1.理解PN结的单向导电性; 2.了解二极管、稳压管、工作原理和特性曲线,理 解主要参数的意义; 3.分析含有二极管的电路;理解并掌握单相整流电 路和滤波电路的工作原理及参数的计算; 4. 了解稳压管稳压电路的工作原理。

1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体与掺杂半导体
导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属 一般都是导体。 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。

半导体的导电特性:
热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可 做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二 极管、光敏三极管等)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能 力 明显改变(可做成各种不同用途的半导体 器 件,如二极管、三极管和晶闸管等)。

1. 本征半导体
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们 的最外层电子(价电子)都是四个。

Ge

Si

通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。

1. 本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。
价电子 Si Si

Si 共价健

Si

晶体中原子的排列方式

硅单晶中的共价健结构

共价键中的两个电子,称为价电子。

自由电子

本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能量(温 度升高或受光照)后,即可挣 脱原子核的束缚,成为自由电 子(带负电),同时共价键中 留下一个空位,称为空穴(带 正电)。

Si

Si

Si

Si

这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高,晶体中产 价电子 生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子 来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当 于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。

本征半导体的导电机理
当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分 电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子 自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一 定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载 流子便维持一定的数目。 注意: (1)本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差; (2)温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就 愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。

2. 掺杂半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成掺杂 半导体。 在常温下即可变 为自由电子 Si Si 多余 电子 p+ Si Si 失去一个电 子变为正离 子

磷原子 掺入五价元素

(1)N型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导 电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子 半导体或N型半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子,空 穴是少数载流子。

(2 )P型半导体

掺入三价元素
Si

Si

空穴

– Si B

Si

硼原子

接受一个 电子变为 负离子

掺杂后空穴数目大量 增加,空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式,称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多数 载流子,自由电子是少数载 流子。

无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。

杂质半导体的符号
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

P 型半导体

N 型半导体

1.1.2 PN结
1. PN 结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P 型半导 体和N 型半导体,经过载流子的扩散,在它们的 交界面处就形成了PN 结。
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

空间电荷区越宽,内电场越强, 就使漂移运动越强,而漂移使空 间电荷区变薄。

少子漂移运动

P型半导体
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

内电场E

N型半导体

+ + + + + + + + + + + + + + + + + +

+ + + + + +

空间电荷区, 也称耗尽层。

多子扩散运动 多子边扩散边复合

扩散的结果是使空间电荷区 逐渐加宽。

漂移运动
P型半导体 - - - - - - 内电场E N型半导体

+ + + + + +

- - - - - -
- - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + + + + + +
+ + + + + +

扩散运动

- - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

- - - - - -

P型区

空间 电荷 区

N型区

注意:
1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴、N 区中的电子(都是多子)向对方运动(扩 散运动)。 3、P 区中的电子和N区中的空穴(都是少子), 数量有限,因此由它们形成的电流很小。

2. PN结的单向导电性

PN 结正向偏置(加正向电压): P 区接电源高电 位端、N 区接电源低电位端。

PN 结反向偏置(加反向电压): P区接电源高电 位端、N 区接电源低电位端。

(1)PN 结正向偏置
变薄 - - + + + + 内电场被削弱,多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。

空穴

+

_
N
自由电子

P

- -

外电场

内电场

R

US

+

_

(2)PN 结反向偏置 变厚
- + + + +

内电场被被加强,多子的 扩散受抑制。少子漂移加 强,但少子数量有限,只 能形成较小的反向电流。

_ P
自由电子

- - -

空穴

N

+

内电场 外电场

R

_

US

+

结论:

1、PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流 较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。 2、PN 结加反向电压时,PN结变宽,反向电流 较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。 3、温度越高少子的数目越多,反向电流将随温 度增加。

1.2 半导体二极管
1. 二极管的结构示意图
金属触丝 N型锗片
阳极引线 阴极引线 N型硅 P 型硅 阳极引线 二氧化硅保护层

( a)点接触型
铝合金小球 N 型硅

外壳

阴极引线

阳极引线 PN结 金锑合金 底座

(c ) 平面型 D 阴极

阳极

阴极引线

( d)符号

( b) 面接触型

2. 伏安特性 I
死区电压 硅管0.5V, 锗管0.2V。

正向偏置

P
+

-

N

导通压降: 硅 管0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。

可控开关
反向偏置

P

-

N
+

反向击穿 电压UBR 反向击穿区

U
反向截止区 F 反向电流很小

U

UBR远远大于UF一般为十几伏到几十伏

3. 主要参数
(1)最大整流电流 IOM 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大 正向平均电流。
(2)反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电 流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至 过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电 压URWM一般是UBR的一半或三分之二。

(3)反向峰值电流 IRM
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反 向电流大,说明管子的单向导电性能差,因此反 向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度 越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管 的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是 主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、 保护等等。选用二极管时还需注意交流参数。

(4)微变电阻 rD
rD 是二极管特性曲线上工 作点Q 附近电压的变化与 ID 电流的变化之比:

iD
Q

? iD

?u D rD ? ?iD
显然,rD是对Q附近的微小 变化区域内的电阻。

? uD

UD

uD

2、二极管的单向导电性
(1)二极管加正向电压(正向偏置,阳极接正、阴极接负 )时, 二极管处于正向导通状态,二极管正向电阻较 小,正向电流较大。 (2)二极管加反向电压(反向偏置,阳极接负、阴极接正 ) 时, 二极管处于反向截止状态,二极管反向电阻较, 反向电流很小。 (3)外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿,失去单向导 电性。 (4)二极管的反向电流受温度的影响,温度愈高反向电流愈 大。

1.3 半导体二极管的简单应用
例 1:
6V
D 3k? 12V + A

电路如图,求:UAB

UAB – B

取 B 点作参考点, 断开二极管,分析二 极管阳极和阴极的电 位。

V阳 =-6 V V阴 =-12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 否则, UAB低于-6V一个管压降,为-6.3V或-6.7V 在这里,二极管起钳位作用。

例 2:
+ ui –

R D + uo –

8V

已知:ui ? 18sin? t V 二极管是理想的,试画 出 uo 波形。 二极管的用途: 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。

ui 18V 8V

参考点

?t

二极管阴极电位为 8 V ui > 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui < 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui

例3:二极管半波整流电路
+ +

ui


RL
A

uo


二极管:死区电压=0 .5V,正向压降?0.7V(硅二极管) 考虑理想二极管:

正向导通时:死区电压=0 ,正向压降=0,
反向截止时:反向电流=0。

设 ui = sin ? t V ui ? 0 时


二极管导通,uo ? ui ui


ui



RL

uo



o

t

uo
o

t

ui


RL



uo ui ? 0 时,二极管截止,uo ? 0

1.4 二极管整流电路
u1

u2

整 流 u3 电 路

滤 波 u4 电 路

稳 压 电 路

uo

电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。
整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。 滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。 稳压电路: 消除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压uo 的稳定。

1.4.1 单相半波整流电路
1. 电路结构 Tr a
+ u – b
2. 工作原理

D io RL + uo –

3. 工作波形

u
2U
O

?t

uo
2U

u 正半周,Va>Vb, 二极管D导通; u 负半周,Va< Vb, 二极管D 截止 。

uD
O

O

?t ?t

? 2U

4. 参数计算
(1)整流电压平均值 Uo 1 π Uo ? 2Usin? td(? t ) ? 0.45U ? 2π ο Uo U ? 0.45 (2)整流电流平均值 Io I o ?

RL

RL

(3)流过每管电流平均值 ID I D ? I o

(4)每管承受的最高反向电压 UDRM U DRM ? 2U (5)变压器副边电流有效值 I
1 π 2 I? ( I sin ? t ) d? t ? 1.57 I o m ? 2π ο

5. 整流二极管的选择
平均电流 ID 与最高反向电压 UDRM 是选择整 流二极管的主要依据。 选管时应满足: IOM ?ID , URWM ? UDRM

1.4.2 单相桥式整流电路

T u1

+
u2 D4 D1 D3 D2

u2正半周时 电流通路

RL uo

桥式整流电路

T
u1 u2 D4 D1 D3 D2

u2负半周时 电流通路

RL

u0

+
桥式整流电路

桥式整流电路输出波形及二极管上电压波形
A

D4
u2 B
u2 uD4,uD2

D3

D1

RL uo

u2>0 时 D1,D3导通 D2,D4截止 电流通路: A ? D1? RL?D3?B
?t

u2<0 时 D2,D4导通 D1,D3截止 电流通路: B ? D2? RL?D4?A

D2

uD3,uD1

输出是脉动的直流电压!

?t

uo
?t

1.4.3 整流电路的主要参数
1. 整流输出电压平均值(Uo)
全波整流时,负载电压 Uo的平均值为:

1 Uo ? 2π
0.9U 2 IL ? RL

?



0

uo d ??t ? ? 0.9U 2

2. 负载平均电流(IL)

3. 二极管平均电流

在桥式整流电路中,每个二极管只有半周导。因 此,流过每只整流二极管的平均电流 ID 是负载平 均电流的一半。

1 U2 I D ? I o ? 0.45 2 RL
4. 二极管承受反向峰值电压 二极管截止时两端承受的最大反向电压:

U RM ? 2U 2
平均电流(ID)与反向峰值电压(URM)是选择整流管 的主要依据。

单向全波整流电路

D1
1 2

变压器副边中
RL + uL -

· + ·
220 V

+ ·
u2 –

1

当u2正半周时, D1导通,D2截止。 D2 当u2负半周时, D2导通,D1截止。

– + +
2

u2 –



心抽头,感应 出两个相等的

电压u2

全波整流电压波形

u2
+ uL -

D1
1 2

· ·
220 V

u2 · u2
1 2

RL

0

?

2?

3?

?t 4?

uL

uD1

D2
uD2

D1
1 2

· ·
220 V

IL
RL

uL
+ uL -

u2 · u2
1 2

?t

0

?

2?

(1)输出电压平均值UL:

D2
(2)输出电流平均值IL :

1 2? UL ? uLd(?t) 2? 0

?

1 π ? ? 2U 2 sin ωtd (ωt) π 0
? 0.9U 2

IL= UL /RL =0.9 U2 / RL

(3)流过二极管的平均电流: ID = IL/2
1

D1
2

uD
?t
RL + uL -

· ·
220 V

0

?

2?

u2 · u2
1 2

D2
(4)二极管承受的最高反向电压:

UDRM ? 2 2U2

几种常见的硅整流桥外形

~ + ~ ~ + ~ + A C -

交直流管脚用错将如何? 造成短路烧毁变压器!

1.4.5 滤波电路
交流 电压
整流

脉动 直流电压

滤波

直流 电压

滤波电路的结构特点: 电容与负载 RL 并联,或

电感与负载RL串联。
原理:利用储能元件电容两端的电压(或通过电感 中的电流)不能突变的特性, 滤掉整流电路输 出电压中的交流成份,保留其直流成份,达 到平滑输出电压波形的目的。

1. 电容滤波原理
以单向桥式整流电容滤波为例进行分析, 其电路如图所示。 a D4

u1

u1

u2

D3 b

D1

S C

+ –

uo RL

D2

桥式整流电容滤波电路

a

u1

u1

u2

D4

D3 b

D1

S C

+ –

uo RL

D2

(1)RL未接入时(忽略整流电路内阻) u2
设t1时刻接 通电源

t1
uo 充电结束

没有电容 t 时的输出 波形

无放电回路电压保持

t

a

u1

u1

u2

D4

D3 b

D1

S C

+ –

uo RL

D2

(2)RL接入(且RLC较大)时 (忽略整流电路内阻) u2 在u 小于电容电压时,
2

二极管截止,电容不 充电,电容通过RL放 电, uo会逐渐下降。 uo 当电容电压下降到低 于u2时,又开始 充电。

t

t

a

iD D4

u1

u1

u2

D3 b
只有u2电压大于uC时, u2 二极管导通才有充电 电流iD 。因此二极管 电流是脉冲波。 可见,采用电容滤波时, 整流管的导通角变小。

D1

S C

+ –

uo RL

D2

t
二极管电流 iD的波形

uo

t

2. 电容滤波电路的特点
(1)输出电压 Uo与放电时间常数 RLC 有关。 RLC 愈大? 电容器放电愈慢 ? Uo(平均值)愈大 T 一般取τ d ? RL C ? (3 ? 5) (T:电源电压的周期) 2 近似估算:Uo=1.2U2。 (2)流过二极管瞬时电流很大。

RLC 越大 ? Uo越高
?负载电流的平均值越大 ; 整流管导电时间越短

? iD的峰值电流越大
故一般选管时,取

I DF

IL 1 Uo ? (2~ 3) ? (2~ 3) 2 2 RL

(3)输出特性(外特性) uo
1.4U2

电容滤波 纯电阻负载

0.9U2

0

IL

输出波形随负载电阻 RL 或 C 的变化而改变, Uo 和 S 也随之改变。 如: RL 愈小( IL 越大), Uo下降多, S 增大。

结论:电容滤波电路适用于输出电压较高,负载电流
较小且负载变动不大的场合。

例:有一单相桥式整流滤波电路,已知交流电源频率 f=50Hz,负载电阻 RL = 200?,要求直流输出电压Uo=30V, 选择整流二极管及滤波电容器。

~
解:(1)选择整流二极管 流过二极管的电流

+ u –

+ + C RL uo –

1 1 U O 1 30 I D ? IO ? ? ? ? ? 0.075 A 2 2 RL 2 200 U O 30 变压器副边电压的有效值 U? ? ? 25V 1.2 1.2 二极管承受的最高反向电压

U DRM ? 2U ? 2 ? 25 ? 35 V IOM =100mA

可选用二极管2CP11

UDRM =50V

例: 有一单相桥式整流滤波电路,已知交流电源频率 f=50Hz,负载电阻 RL = 200?,要求直流输出电压Uo=30V, 选择整流二极管及滤波电容器。

解:(2)选择滤波电容器 取 RLC = 5 ? T/2

~

+ u –

+ + C RL uo –

已知 RL = 50?

1 50 RLC ? 5 ? ? 0.05 S 2

可选用C=250?F,耐压为50V的极性电容器

0.05 0.05 ?6 C? ? ? 250 ? 10 F ? 250?F RL 200

3.电感滤波
电路结构: 在桥式整流电路与负载间串入一电感L 就构成了电感滤波电路。 L

u1

u2

RL

uo

电感滤波电路

L

u1

u2

RL

uo

对直流分量: XL=0 相当于短路,电压大部分降在RL上。
对谐波分量: f 越高,XL 越大,电压大部分降在XL上。

因此,在输出端得到比较平滑的直流电压。

当忽略电感线圈的直流电阻时,输出平均电压 约为: U =0.9U
o 2

L

u1

u2

RL

uo

电感滤波的特点:

电感电流不能跳变 故负载电流可持续

整流管导电角较大,峰值电流很小,输出特性比较 平坦,适用于低电压大电流(RL较小)的场合。缺点是电感 铁芯笨重,体积大,易引起电磁干扰。

1.5 稳压二极管及其应用
1.5.1 稳压二极管 + 曲线越陡, 电压越稳定。 I
最小稳定 电流

UZ 稳压管正常工作 反向击穿电压 时加反向电压 - UZ 稳压 IZmin 灵敏 稳压管反向击穿后, 度 电流变化很大,但其两 IZ 端电压变化很小,利用 ? IZ 此特性,稳压管在电路 IZmax 中可起稳压作用。 ?UZ

U

稳压原理

i
+

限流电阻

iL
iZ
RL +

ui
- ui?

R DZ

uo

- Uz? iz?? i?

uo?

稳压管特性 Uo稳定 uR?

稳压二极管的参数 (1)稳定电压 UZ
(2)电压温度系数?U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的系数。

(3)动态电阻

rZ

?

?UZ ? IZ

(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。

(5)最大允许功耗

例1:图示稳压电路中,已知:

I 限流电阻 IL
+ Ui - R DZ IZ RL

+ Uo


负载电阻 RL ? 1k? 。求输入电压分别为10V、15V、 20V时的输出电压和流过二极管的电流。 解:当稳压二极管处于反向击穿状态时能正常工作

UZ IL ? ? 6mA RL I ? I z ? I L ? 3 ? 6 ? 9 mA

可见,该电路中稳压管能正常工作的最小输入电压为15V, 此时输出电压U0=6V,流过稳压管的电流为3mA。 若Ui=20V,稳压管能正常工作,输出电压U0=6V UR= UI- U0=20-6 =14V 流过稳压二极管的电流为 I-IO=14-6=8mA

若Ui=10V,稳压管未进入反向击穿区,电路中R和RL串 联,输出电压U0=5V

4.5.2 集成稳压电路
随着半导体工艺的发展,现在已生产并广泛应用的单片 集成稳压电源,具有体积小,可靠性高,使用灵活,价格 低廉等优点。最简单的集成稳压电源只有输入,输出和公 共引出端,故称之为三端集成稳压器。

本节主要介绍常用的W7800系列三端集成稳压器,其内 部也是串联型晶体管稳压电路。 该组件的外形如下图,稳压器的硅片封装在普通功率管 的外壳内,电路内部附有短路和过热保护环节。

1

2

3

1端: 输入端 2端: 公共端 3端: 输出端

1

2

3

1端: 公共端 2端: 输入端 3端: 输出端

W7800系列稳压器外形

W7900系列稳压器外形

注:金属封装和塑料封装管脚定义不同, 使用时一定要先查手册。

1. 集成稳压电源的分类
可调式 三端集成 稳压器 固定式 负稳压W79XX 正稳压W78XX

注:型号后XX两位数字代表输出电压值

输出额定电压值有如下系列: 5V、9V、12V 、18V、 24V等 。

2. 应用电路
a.输出为固定电压的电路 输出为固定正压时的接法如图所示。 1
+

W7800
2 CI 0.1~1?F Co 1? F

3
+

UI
_

Uo
_

W7800系列稳压器 基本接线图

注意:输入与输出端之间的电压不得低于3V!

b. 输出正负电压的电路
+ 1 W78XX 2 3 + UO

CI
UI _ 2 CI

CO
CO 3

1 W79XX

_ UO

正负电压同时输出电路

c. 提高输出电压的电路
1 W78XX 2 CI UZ 3

+
UI

UXX

R
CO DZ

+
UO

_

_

UXX : 为W78XX固定输出电压 UO = UXX + UZ

1.6 光敏二极管
又称光敏二极管。它的管壳上有透明聚光窗,由 于PN结的光敏特性,当有光照射时,光敏二极管 在一定反向偏压范围内,反向电流随光照强度的 增加而线性增加。 当无光照时,光敏二极管的伏安特性与普通二极 I 管一样。

U





照度增加

1.7 发光二极管
有正向电流流过

时,发出一定波长
范围的光,目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光,它的电特性与

一般二极管类似。


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第一章 半导体二极管整流电路 §1.1 PN结一.半导体 1.半导体:导电性能介于导体绝缘 硅(锗)的原子结构 体之间的物体,平时会激发少量的自由电子空穴,因而...


第1章半导体二极管与整流电路(4)_图文.ppt

第1章半导体二极管与整流电路(4) - 第1章 半导体二极管 与整流电路 1 主


第1章 半导体二极管与整流电路(4)_图文.ppt

第1章 半导体二极管与整流电路(4)_天文/地理_自然科学_专业资料。第1章 半导体二极管 与整流电路 1 主要内容 ? 半导体及其导电机理 载流子及其分类 ? PN结及其...


第1章 半导体二极管与整流电路(4)讲解_图文.ppt

第1章 半导体二极管与整流电路(4)讲解_职业技术培训_职业教育_教育专区。第1章 半导体二极管与整流电路(4)讲解 第1章 半导体二极管 与整流电路 1 主要内容 ? ?...


第1章 半导体器件及整流电路_图文.ppt

第1章 半导体器件及整流电路 - 电子技术包含模拟电子技术基础数字电子 技术基


第1章半导体二极管及其基本电路_图文.ppt

第1章半导体二极管及其基本电路 - 第1章半导体二极管及其基本电路,半导体二极管的导通电压是多少,半导体二极管,二极管是半导体吗,半导体二极管的导通电压,半导体二极管...


第1章 半导体二极管及基本电路._图文.ppt

第1章 半导体二极管及基本电路. - 第1章 半导体二极管及基本电路 ? 基本要求 理解 P N 结的单向导电性,理解二极管、 稳压管的工作原理,掌握二极管、稳压管电路...


第1章半导体二极管及其基本应用电路(精)_图文.ppt

第1章半导体二极管及其基本应用电路(精) - 第 1章 半导体二极管及其基本应用电路 本章教学基本要求 ? 要知道:N型P型半导体的区别、PN结的导电特性、硅 锗...


第1章 半导体二极管及应用电路_图文.ppt

第1章 半导体二极管及应用电路 - 任务一:半导体及PN结 物质按导电能力可以一下三大类: 绝缘体 导体 物质 半导体 半导体:导电能力 介于导体绝缘体 之间,且随着...


第1章 半导体二极管及其基本电路讲解_图文.ppt

1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性...Uon (c) 输出波形 t 模 拟 电 子 技 术 1.4.2 二极管在整流电路中的...


第1章半导体二极管及其基本电路资料_图文.ppt

第1章半导体二极管及其基本电路资料 - 模 拟 电 子 技 术 第 1 章 半导体二极管 及其基本电路 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体二极管的...


第1章 半导体二极管与整流电路_图文.ppt

第1章 半导体二极管 与整流电路 1 主要内容 ? ? ? ? ? 半导体及其导


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第1章 半导体二极管与整流电路 1.1 1.2 1.3 1.4 半导体基础知识


第1章半导体二极管及其应用电路_图文.ppt

第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1 半导体的导电特性 1.2 PN结的形成及特性 1.3 二极管 1.4 特殊二极管 1.1 半导体的导电特性半导体概念:导电性能介于导体...


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第1 章 半导体二极管及应用电路 1. 半导体二极管及应用电路 1.1 半导体基础 1...图 (a)点接触型 (2) 面接触型二极管 PN结面积大,用于 工频大电流整流电路。...


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半导体二极管与整流电路 - 模拟电子技术 学习的基本方法: 1.基本内容的处理原


模拟电子技术(模电)第1章 半导体二极管及其基本电路_图文.ppt

模 拟 电 子 技 术 第 1 章 半导体二极管 及其基本电路 1.1 半导体的基础知识PN结 1.2 晶体二极管 1.3 二极管电路的分析方法 1.4 半导体二极管的应用 1...

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